1.3 小结

本章主要介绍了闩锁效应出现的背景和概况。

早期的双极型工艺、PMOS工艺和NMOS工艺集成电路都不会发生闩锁效应现象。闩锁效应是以体CMOS工艺为基础的集成电路特有的现象，无论是一般的常规体CMOS工艺集成电路，还是从CMOS工艺衍生出来的BiCMO、BCD和HV-CMOS等，都会发生闩锁效应。

无论是落后的亚微米CMOS工艺，还是先进的纳米CMOS工艺，甚至是FinFET工艺，闩锁效应依然是影响CMOS集成电路可靠性的一个重要问题，业界依然没有一套效率很高，以及很准确的评估芯片在研发阶段发生闩锁效应的方法。