- CMOS集成电路闩锁效应
- 温德通编著
- 140字
- 2025-02-18 04:59:58
第3章 闩锁效应的分析方法
要了解CMOS集成电路中寄生PNPN结构的物理机理,必须要有一种有效的分析方法,目前业界比较常用的分析方法有三种:第一种是传输线脉冲技术;第二种是直流测量技术;第三种是标准的闩锁效应测试机台。
本章侧重介绍闩锁效应的分析方法、PNPN闩锁效应的物理机理和NPN闩锁效应的物理机理。
要了解CMOS集成电路中寄生PNPN结构的物理机理,必须要有一种有效的分析方法,目前业界比较常用的分析方法有三种:第一种是传输线脉冲技术;第二种是直流测量技术;第三种是标准的闩锁效应测试机台。
本章侧重介绍闩锁效应的分析方法、PNPN闩锁效应的物理机理和NPN闩锁效应的物理机理。